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芯片制造中薄膜厚度怎么測量?

發(fā)布時(shí)間:2024-05-09 點(diǎn)擊量:1175

芯片制造中薄膜厚度怎么測量?

在半導(dǎo)體制造業(yè)中,薄膜的厚度對器件的性能和質(zhì)量有重要影響。在制造過程中,晶圓要進(jìn)行多次各種材質(zhì)的薄膜沉積,因此薄膜的厚度及其性質(zhì)(如折射率和消光系數(shù))需要準(zhǔn)確地確定,以確保每一道工藝均滿足設(shè)計(jì)規(guī)定。光學(xué)薄膜測量設(shè)備的光譜測量方式主要分為橢圓偏振和垂直反射兩種。在橢圓偏振方式下,光源發(fā)出的光經(jīng)由起偏器、光學(xué)聚焦系統(tǒng),以一定的角度入射圓片,經(jīng)過表面膜層和硅襯底反射的光學(xué)系統(tǒng)和起偏器,由光譜儀接受。通過對膜厚和薄膜光學(xué)常數(shù)等變量進(jìn)行回歸迭代逼近,使計(jì)算光譜和實(shí)測光譜吻合,最終所得到的迭代值即為所測薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)。

垂直反射式測量得到的只是圓片表面的垂直反射光譜,不包含偏振光的位相變化的信息,且必須通過與事先在標(biāo)準(zhǔn)裸圓片上測得的反射光譜對比才能得到樣品的垂直反射率。垂直反射式測量相比橢圓偏振式測量,靈敏度要更低,主要用于較厚薄膜和單層膜的厚度測量。

臺(tái)式離線接觸式測厚儀


質(zhì)量控制、研究和開發(fā)應(yīng)用的理想選擇

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模型TOF-4R05
測量方法接觸式/線性規(guī)/夾緊方式
測量目標(biāo)薄膜、片材
測量原理線性規(guī)/夾緊法
產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 輕松快速的離線厚度測量

  • 測量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)顯示在屏幕上

  • 測量數(shù)據(jù)還可以自動(dòng)保存到您的計(jì)算機(jī)中。

  • 由于測量是自動(dòng)進(jìn)行的,因此測量數(shù)據(jù)不存在個(gè)體差異。

  • 雷達(dá)圖也可用于調(diào)整吹塑薄膜。

  • 由于采用夾層法進(jìn)行測量,因此即使是有卷曲等的厚紙也可以測量。

產(chǎn)品規(guī)格
測量厚度0.03~3mm
測量長度10~10000mm
測量間距1毫米~
最小顯示值0.5微米
測量壓力0.6±0.1N
電源電壓AC100~240V 50/60Hz
工作溫度限制5~40℃
濕度35-80%(無冷凝)
能量消耗50 VA(不包括電腦)
選項(xiàng)?卷紙打印機(jī)輸出功能
?0.1mm間距測量功能
?連續(xù)測量功能
?各專用探頭
?圖像轉(zhuǎn)印功能
?壓紙機(jī)構(gòu)
?輸送速度顯示




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